OCZ AMD Black Edition 4GB Kit DDR3-1600/PC3-12800 OCZ3BE1600C8LV4GK Speicher Test

Kommen wir nun zum wichtigsten Teil des Testberichts, die höchste stabile Performance. die je nach Referenztakt und Speichertakt mit unterschiedlicher Frequenz betrieben wird. Der CPU Multiplikator bleibt bei allen Frequenzen auf 13x, da eine Angleichung der CPU Frequenz mittels Multiplikator in halben Schritten zu ungenau wäre. Als Betriebssystem wird Microsoft Windows 7 RC Ultimate Edition verwendet. Mittels der Software Memtest86
wurde die Stabilität überprüft und SiSoft Sandra Lite 2009 SP3 wurde als Benchmark Programm eingesetzt, da es umfangreiche Einstellungsmöglichkeiten und einen schnellen Vergleich bietet. Die jeweils aktuellste Version von SiSoftware Sandra 2009 steht übrigens auf unserem Server zum Download bereit und kann dadurch noch schneller runtergeladen werden. Die Benchmarks sind sogar in der kostenfreien Lite Version enthalten.

Zunächst wird die maximal mögliche Frequenz der Speichermodule bei Default 1,50 Volt (bzw. 1,53) bestimmt. Hierzu wird der Speichertakt mit einem fest eingestellten Speichertiming von 8-8-8-24 2T und Default Spannung in kleinen Schritten erhöht, solange der ausführliche Test mittels dem Programm Memtest86 noch fehlerfrei durchläuft. Damit ist durch die recht lange Testzeit gewährleistet, daß diese Frequenz bei den Modulen wirklich stabil arbeitet.

Die höchstmögliche Frequenz lag mit den Timings 8-8-8-24 2T (CAS-TRCD-TRP-TRAS) und 1,53V bei 750 / 1499 MHz.

Hier ist ein Snipping Screenshot von CPU-Z mit 750 / 1499 MHz und 8-8-8-24 2T bei 1,53 Volt:

Mit einer höheren Spannungen oder mit geringeren Timings laufen selbstverständlich deutlich höhere Frequenzen, da die Frequenzwerte und Timings direkt voneinander abhängig sind. Offiziell gibt die Firma OCZ eine Spannung bis 1.65 Volt an, ohne daß man die Gewährleistung verliert.

Bei den Modulen war allerdings auf dem Testboard noch ein Tick mehr Spannung nötig, um sie stabil bei 800 / 1600 MHz mit den 8-8-8-24 2T Timings betreiben zu können. Erst ab 1.71 – 1.77 Volt liefen sämtliche Testprogramme fehlerfrei durch.

Hier ist ein Snipping Screenshot von CPU-Z bei 800 / 1600 MHz (DDR3-1600) und 8-8-8-24 2T mit 1,77 Volt:

Der Vergleich sämtlicher DDR3 Speichermodule wird im Benchmark mit den Default 1.53 Volt durchgeführt, womit immerhin die 1499 MHz erreicht wurden. Diese höchstmögliche Taktung bei der Default DDR3 Spannung wurde nun mit zwei weiteren Einstellungen verglichen. Zum einen wurden die Speichermodule bei 200 MHz Referenztakt x6,66 = 1333 MHz mit SPD Werten getestet (die SPD Werte werden vom Hersteller im SPD IC vorgegeben). Zum anderen wurde die höchstmögliche Frequenz mit der erlaubten Hersteller Spannung bei 8-8-8-24 2T ermittelt.

Die höchstmögliche Frequenz lag mit den Timings 8-8-8-24 2T (CAS-TRCD-TRP-TRAS) und 1,65V bei 773 / 1545 MHz.

Hier ist ein Snipping Screenshot von CPU-Z bei 773 / 1545 MHz und 8-8-8-24 2T mit 1,65 Volt (Hersteller Spannung):

Und damit sich eine Anschaffung des neuen OCZ XTC Cooler2 aktiven RAM Kühlers lohnt, haben wir die Module nochmal ohne jegliche Beeinflussung der Testergebnisse ausserhalb der Spezifikation mit 2,00 Volt betrieben. Die Freude über die höhere Spannung sah man den Modulen geradezu an, denn damit waren selbst mit 8-8-8-24 2T Timings enorm hohe 826 MHz bzw. 1651 MHz möglich, die zu einer RAM Bandbreite Int Buff’d iSSE2 von 15,00 GB/s führten (Speicherbusbandbreite 25,84 GB/s und Speicher-Latenzzeit 69 ns).

Hier ist ein Snipping Screenshot von CPU-Z bei 826 / 1651 MHz und 8-8-8-24 2T mit 2,00 Volt (Spannung ohne Wertung):

Hier sind die Ergebnisse der SiSoftware Sandra 2009 Benchmark Reihen:

Frequenz Timing Speicher Spannung RAM Bandbreite Int Buff’d iSSE2 Speicherbus Bandbreite Speicher Latenzzeit
225 MHz * 6,66 = 1499 MHz fest (8-8-8-24 2T) 1.53 Volt 13,51 GB/s 23,44 GB/s 75 ns
232 MHz * 6,66 = 1545 MHz fest (8-8-8-24 2T) 1.83 Volt 14,00 GB/s 24,16 GB/s 74 ns
200 MHz * 6,66 = 1333 MHz SPD (8-12-12-30 2T) 1.53 Volt 11,82 GB/s 20,84 GB/s 91 ns

Die Speicherbusbandbreite ist übrigens kein Benchmark Wert, sondern der Wert, der sich recht einfach aus dem jeweiligen Speichertakt errechnen läßt und nur zum Vergleich der Benchmarks dient.

Hier sind die Benchmark Werte als Grafik:

Hier ist ein direkter Vergleich der Benchmark Ergebnisse von einigen DDR3, DDR2 und DDR Speichermodulen:

Die OCZ AMD Black Edition PC3-12800 Speichermodule haben mit der Vergleichstest Spannung von 1,53 Volt ein identisches Resultat erreicht, wie die zuvor getesteten Crucial Ballistix Tracer 4GB Kit DDR3-1333/PC3-10600 CL6 Module. Das ist nicht weiter verwunderlich, da die Latenzzeit in direkter Abhängikeit zu der Frequenz steht und die OCZ PC3-12800 Module mit CL8 Latency und die Crucial Ballistix PC3-10600 Module mit CL6 angegeben sind. Bei einer Spannungserhöhung auf die Herstellerspannung von 1,65 Volt erreichten die Module allerdings bereits 1545 MHz (773 MHz) – im Vergleich dazu benötigte der Crucial Ballistix PC3-10600 RAM hierfür eine Spannung von ca. 1,83 Volt.